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关于北京大学物理学院王新强教授学术报告会的通知

编辑:日期:2019-04-15 访问次数:7

氮化物半导体外延调控及其光电器件


时间:2019415日(星期一),下午1515

地点:浙江大学玉泉校区硅材料国家重点实验室1号楼会议室

报告人:王新强 教授

邀请人:杨德仁 院士

 

报告人简介:北京大学物理学院教授,教育部长江特聘教授,国家杰出青年基金获得者,万人计划中青年领军人才,现任北京大学东莞光电研究院院长,人工微结构和介观物理国家重点实验室副主任,北京大学人事部副部长,物理学院院长助理。分别于19962002年在吉林大学电子科学与技术学院获得学士和博士学位,2002-2008年在日本千叶大学和日本科学技术振兴机构进行研究工作,2008年由百人计划加入到北京大学物理学院工作。主要从事宽禁带半导体材料、物理与器件研究,发表SCI论文160余篇,SCI引用逾2500次,在国内外学术会议上做邀请报告30余次,担任Elsevier出版社“Superlattices and Microstructures”编辑,NPG出版社“Scientific Reports”和Wiley出版社Physica Status Solidi系列编委。

 

报告摘要:近二十年来,III族氮化物半导体材料以其宽带宽覆盖范围、强极化、抗辐照等多项优异的材料性能在半导体照明、微波通讯和电力电子等领域取得重要的研究进展,并实现了巨大的市场价值。材料是基础,而精确的外延控制是实现高质量材料的关键,尤其是原子层级上的外延控制更是实现高质量量子结构的前提。本报告从原子层外延调控出发,主要汇报InGaN单原子层面内原子的规则排列及其单光子源,基于GaN超薄量子结构的电子束泵浦紫外光源和蓝宝石衬底上GaN基共振隧穿二极管(RTD)等近期开展的研究工作。



 
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